2015 年 11 月 2 日、二次元金属電極を備えた導電性変調四重極パワー半導体デバイスのエアベットを取得しました。エアベット番号: ZL 20152 0857858.X
2015年6月3日に低入力容量パワー半導体電界効果トランジスタの特許を取得。エアベット0656956.2
2015年6月3日、切りくずの浮き上がりを防止するチップバスケットハンドルの特許を取得しました。エアベット 0851682.2
ハイエアベットを探索して誰よりも早くそこに到達しましょう;ロイヤルマーケットパートナーが協力して双方に有利な結果をもたらす。
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