国家ハイテクベットギャンブル、中国トップ 5 の半導体パワーデバイスベットギャンブルの 1 つ、国家ポスドク研究ステーション、国家革新的ベットギャンブル。

電界効果トランジベットギャンブル/MOSFET - 600V-700V シリーズ

データシート	部品番号	ID@25℃(A)	ID@100℃(A)	PD(W)	BVdss(V)	Rds(on)(Ω)	パッケージ	モール
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プロダクトセンター

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