20101117 半導体パワーデバイス用基板シリコンウェーハおよびその製造方法に関する特許
2010 年 11 月 17 日に取得半導体パワーデバイス用基板シリコンウェーハおよびその製造方法に関する特許 特許番号: ZL 2008 1 0205212.8
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